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ディジタル化、おそろしいわ。
---------------ｷﾘﾄﾘｾﾝ---------------
MOSFETでインバータを作ると、MOSFETのON抵抗のせいで損失は電流の2乗に比例することになる。
IGBTの場合はVceにより損失は電流（の1乗）に比例する。
よって低電流での損失はMOSFET
前使ったIGBTはTG12N60C3D Vce(sat)はVgeが15Vで最大2.2V
今回は2SK2382を使ったんだけど、これのON抵抗は0.13Ωらしい。
Rdsを0.13Ω固定で計算すると16AまではMOSFETの方が低損失っぽい。
2SK2382の定格は15Aだからちょうどよかったかもしれない。
そのうち2SK3628(Rds=65mΩ@Vgs=10V）にかえてみようかな。
ただ、これはターンオフ時間が2SK2382と比べて3倍ぐらい長いから・・・
難しい。
難しいけど面白い。
金は無くなる一方だけど（笑）
